在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
Powers of two are wasteful if you have a bunch of arrays that
。夫子对此有专业解读
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在日照市昱岚新材料有限公司智能车间，一卷3毫米厚的钢卷从生产线一端“吞”入，5分钟后便从另一端“吐”出，化作厚度不足0.1毫米的薄钢板。“钢比纸薄”的行业奇迹，在此生动上演。